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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
1000
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
300
100
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
175 C
25 C
100
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
10
o
o
3.5 V
3.0 V
-55 C
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
1
o
2. T C = 25 C
1
0.01
o
0.1 1
4
0.1
1
2 3 4
5
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
10
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
*Notes: T C = 25 C
175 C
9
8
7
V GS = 4.5V
o
100
o
25 C
6
5
4
V GS = 10V
10
o
*Notes:
1. V GS = 0V
3
0
50
100 150
200
250
1
0.2
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4000
3000
2000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
C oss
C iss
*Notes:
10
8
6
V DS = 6V
V DS = 15V
V DS = 24V
1000
C rss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
5
*Notes: I D = 50A
10 15 20 25 30
Q g , Total Gate Charge [nC]
35
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD050N03B Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
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